Авиационные приборы и системы

Для полупроводниково-го датчика предпочтительным напряжением является напряжение постоянного тока, что исклю-чает балансировку моста по фазе и вредные помехи. Мост электрически уравновешивается при начальном значении измеряемого давления. Дальнейшие изменения напряжения (тока) с моста будут находиться в диапазоне измеряемого давления.

Особенностью полупроводникового тензорезистора является его высокая чувствительность к деформации по сравнению с проволочными. В образовании тензоэффекта участвуют геометриче-ские и объемные изменения полупроводникового тензорезистора под действием деформации уп-ругого чувствительного элемента. Причем геометрические изменения приводят только к 2 % из-менения электрического сопротивления тензорезистора. Остальные 98 % – за счет объемных из-менений [42].

В связи с чрезвычайно малыми перемещениями и деформациями упругого чувствительного элемента в процессе измерения его стали называть твердотельным. Его перемещения находятся на уровне 10-9 м. Это чрезвычайно малые перемещения, которые, тем не менее, необходимо удер-живать при достижении сверхвысоких точностей.

На рис. 4.33 приведена электрическая схема полупроводникового датчика давления. Она пред-ставляет собой четырехплечий мост Уитстона с элементами компенсации по температуре и его балансировки. Все элементы схемы могут располагаться в теле чувствительного элемента, кроме согласующего выход R10. Однако это уже касается интегрального полупроводникового датчика давления.

Полупроводниковыми твердотельными датчиками давления с упругой мембраной из монокри-сталла кремния успешно занимается форма Хонеувелл (Honeywell, США) (рис. 4.34).

Рис. 4.33. Электрическая схема датчика давления с полупроводниковыми тен-зорезисторами:

R1, R2, R3, R4 – полупро-водниковые тензорезисторы; R5 – резистор для согласова-ния внутреннего сопротив-ления моста; R6, R7 – рези-сторы для балансировки моста; R8, R9 – резисторы для температурной компенсации моста; R10 – резистор для со-гласования выходного сиг-нала

Несмотря на очевидные преимущества цифрового кодового сигнала в некоторых современных датчиках давления предусматриваются и аналоговые выходы, как это сделано в схеме на рис. 4.34. Считается, что самым надежным является сигнал непосредственно с резистивного моста.

Рис. 4.34. Функциональная схема полупроводникового датчика давления:

1 – мембрана; 2 – элементы моста на мембране; 3 – мост; 4 – усилитель; 5 – фильтр; 6 компаратор напряжения; 7 преобразователь-генератор; 8 – усилитель; 9 – источник по-стоянного тока

Наиболее перспективными датчиками для СВС военных и гражданских летательных аппаратов являются: полупроводниковый с использованием тензорезистивного и пьезоэлектрического эффектов; вибрационно-частотный; емкостный. Основная погрешность датчиков должна быть не более 0,005 – 0,01 % от измеряемого давления; потребляемая мощность не более 1 – 1,5 Вт; средняя наработка на отказ не менее 40000 часов; назначенный ресурс не менее 25000 часов; календарный срок эксплуатации не менее 25 лет; масса порядка 0,25 кг в минимальном габаритном объеме.

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84